专利名称:   一种多孔氧化物半导体纳米薄膜制备方法
英文名称:  
专利号:   CN103451609B
专利类别:   发明
专利证书号:  
申请号:   CN201310390421.5
第一发明人:   中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日期:   2013-08-30
专利授权日期:   2016-04-27
国外申请日期:  
国外申请方式:  
缴费情况:  
实施情况:   授权
专利摘要:  
其它备注:  
   

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